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2N4264 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 15Vceo 6.0Vebo 200mA
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.35 V

增益带宽产品fT:350 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:200 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 200 mA, 1 V

Pd-功率耗散:625 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:2N4264 PBFREE

单位重量:206 mg

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