FET 类型N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）40V

漏源电压（Vdss）40V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）15mA @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）16pF @ 20V

电阻 - RDS（开）50 Ohms

功率 - 最大值360mW

工作温度-65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳3-SMD，无引线

供应商器件封装3-UB（3.09x2.45）

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs