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2N3439L /Microsemi Commercial Components Group/分立半导体产品
2N3439L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:2N3439L-40L

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):350V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):2µA

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V

功率 - 最大值:800mW

频率 - 跃迁:-

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐

供应商器件封装:TO-5

供应商2N3439L
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集好芯城2N3439L深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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2N3439LNPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO59.84 Kbytes共2页2N3439L的PDF下载地址2N6059_03,2N718A,ZXTDCM832,2N2432,2N2484_1,ST600K,MMBT9014,BCP56-16,2N6388_00,2N1483
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2N3439LMICRO-SEMI102+:¥66.471+:¥71.31
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100+:¥53.01
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