制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:120 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:1.2 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N3036

直流电流增益 hFE 最大值:35

高度:6.6 mm

长度:9.4 mm

宽度:9.4 mm

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

Pd-功率耗散:800 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:500

子类别:Transistors