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2N2222AHR / 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Rad-Resistant NPN Bipolar Transistor 40V - 0.8A
2N2222AHR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—基极电压 VCBO:75 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

最大直流电集电极电流:0.8 A

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-18

商标:STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:35 at 0.1 A at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V

直流电流增益 hFE 最大值:35 at 0.1 mA at 10 V

最小工作温度:- 65 C

Pd-功率耗散:500 mW

系列:2N2222A

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2N2222AHRHi-Rel 40 V - 0.8 A NPN transistor STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO429.52 Kbytes共18页2N2222AHR的PDF下载地址
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