制造商:Microchip

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:否

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-8-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:12 V

集电极—射极饱和电压:750 mV

最大直流电集电极电流:3 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值:100

封装:Tray

商标:Microchip / Microsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min:35

Pd-功率耗散:1.75 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors