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2N0623 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
2N0623的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)35A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻31mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3W

类型N沟道

供应商2N0623
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深圳市微碧半导体有限公司2N0623-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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2N0623VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥1.7575
10+:¥1.2987
30+:¥1.2144
100+:¥1.1301
500+:¥1.0927
1000+:¥1.0742