制造商:IXYS

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:16 A

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

输出功率:1.18 kW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMD-8

封装:Tube

工作频率:65 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:2 S

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

Qg-栅极电荷:50 nC

工厂包装数量:20

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V