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25P06 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:P沟道
25P06的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc)

栅源极阈值电压3.5V @ 250uA

漏源导通电阻45mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)90W(Tc)

类型P沟道

供应商25P06
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现代芯城(深圳)科技有限公司25P06www.nowchip.com0755-27381274
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25P06GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.19
10+:¥1.64
30+:¥1.54
100+:¥1.43
500+:¥1.39
1000+:¥1.37