2301H
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
2301H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻130mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
类型P沟道
2301H
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立创商城 | 2301H | GOFORD(谷峰) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 10+:￥0.258312
100+:￥0.193338
300+:￥0.181404
1000+:￥0.16947
5000+:￥0.164166
10000+:￥0.161546
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