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20P03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:43mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:P沟道
20P03的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12.9A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻43mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.7W

类型P沟道

供应商20P03
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深圳市微碧半导体有限公司20P03-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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20P03VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:43mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:P沟道1+:¥0.9381
10+:¥0.6932
30+:¥0.6482
100+:¥0.6032
500+:¥0.5833
1000+:¥0.5734