12P10L-TM3-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道
12P10L-TM3-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9.4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻290mΩ @ 4.7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W
类型P沟道
12P10L-TM3-T
12P10L-TM3-T的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 12P10L-TM3-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道 | 1+:¥1.541 10+:¥1.1561 30+:¥1.0854 100+:¥1.0148
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