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12N10 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：114mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
12N10的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）15A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻114mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3W

类型N沟道

供应商12N10
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12N10的全球分销商及价格
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立创商城		12N10VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：114mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道1+:￥1.298
10+:￥0.9592
30+:￥0.8969
100+:￥0.8347
500+:￥0.807
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