FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.9A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)170 毫欧 @ 1.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)441pF @ 10V
功率 - 最大值700mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs