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US6J11TR /MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN
US6J11TR的规格信息
US6J11TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363T-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:US6J11

晶体管类型:2 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:1.4 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:US6J11

单位重量:7.500 mg

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深圳市海芯城电子科技有限公司US6J11TR广东省深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦 2105(0755)83538848
17727879644
朱先生Email:2219425458@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司US6J11TR深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司US6J11TR深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
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深圳创德兴科技有限公司US6J11TR深圳市福田区华强北路1016号宝华大厦A座A13050755-82780078
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深圳市高捷芯城科技有限公司US6J11TR深圳市福田区航都大厦10B0755-82538260
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集好芯城US6J11TR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83285882
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深圳市斌腾达科技有限公司US6J11TR深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市星宇佳科技有限公司US6J11TR深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市坤融电子有限公司US6J11TR航都大厦11FG0755-23990975
17318082080,13510287235
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集好芯城US6J11TR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
18129819897
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现代芯城(深圳)科技有限公司US6J11TR深圳市福田区振中路华强广场B座28F0755-82542579
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深圳市骏凯诚科技有限公司US6J11TR深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋401室0755-82731802
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司US6J11TR华强北路赛格广场44楼4405B室0755-83250795,0755-83250769
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深圳市壹芯创科技有限公司US6J11TR深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层0755-82796631,0755-82780082
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深圳市壹芯创科技有限公司US6J11TR深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3160755-82780082
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深圳市祺雅电子科技有限公司US6J11TR深圳市福田区华强北海外装饰大厦3栋3单元60815099977019
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深圳市天卓伟业电子有限公司US6J11TR深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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北京金州智业科技有限公司US6J11TRwww.bjjzzy.com13683302275
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US6J11TRMOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PINROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO1.46 Mbytes共13页US6J11TR的PDF下载地址
US6J11TR连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:1.06Ω @ 200mA,1.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双P沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO1.49 Mbytes共14页US6J11TR的PDF下载地址
US6J11TR的全球分销商及价格
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Am2
US6J11TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1+:¥4.51
10+:¥3.78
25+:¥3.3
100+:¥2.83
250+:¥2.45
500+:¥2.08
1000+:¥1.61+:¥3.48
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6000+:¥1.073000+:¥0.87333+:¥1.26
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US6J11TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1+:¥4.51
10+:¥3.78
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100+:¥2.83
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500+:¥2.08
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3000+:¥1.1
6000+:¥1.07
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Digi-Key 得捷电子
US6J11TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1+:¥4.51
10+:¥3.78
25+:¥3.3
100+:¥2.83
250+:¥2.45
500+:¥2.08
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Digi-Key 得捷电子
US6J11TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6$0.61000
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Future(富昌)
US6J11TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1+:¥4.51
10+:¥3.78
25+:¥3.3
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Mouser 贸泽电子
US6J11TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1+:¥4.51
10+:¥3.78
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24000+:¥1.21
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Mouser 贸泽电子
US6J11TRROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
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Verical
US6J11TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN1+:¥4.51
10+:¥3.78
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50+:¥1.3301
100+:¥1.29
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1000+:¥1.12
3000+:¥1.1
6000+:¥1.073000+:¥0.87333+:¥1.261+:¥1.7
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立创商城
US6J11TRROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:1.06Ω @ 200mA,1.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双P沟道1+:¥1.0302
10+:¥0.7803
30+:¥0.7344
100+:¥0.6885
500+:¥0.6681
1000+:¥0.6581