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US2DB /正向压降(Vf):1V @ 2A 直流反向耐压(Vr):200V 反向恢复时间(trr):50ns 平均整流电流(Io):2A
US2DB的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型超快恢复二极管

直流反向耐压(Vr)200V

平均整流电流(Io)2A

正向压降(Vf)1V @ 2A

反向恢复时间(trr)50ns

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US2DB晶导微电子正向压降(Vf):1V @ 2A 直流反向耐压(Vr):200V 反向恢复时间(trr):50ns 平均整流电流(Io):2A20+:¥0.115162
200+:¥0.085174
600+:¥0.079666
2000+:¥0.074158
10000+:¥0.07171
20000+:¥0.0705
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US2DBFSHIKUES(时科)正向压降(Vf):1V @ 2A 直流反向耐压(Vr):200V 反向恢复时间(trr):50ns 平均整流电流(Io):2A20+:¥0.159448
200+:¥0.120276
600+:¥0.113081
2000+:¥0.105886
10000+:¥0.102689
20000+:¥0.101109
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US2DBF晶导微电子正向压降(Vf):1V @ 2A 直流反向耐压(Vr):200V 反向恢复时间(trr):50ns 平均整流电流(Io):2A20+:¥0.193227
200+:¥0.145246
600+:¥0.136434
2000+:¥0.12124
10000+:¥0.117519
20000+:¥0.115681