图像仅供参考，请参阅规格书
FET 类型2 个 N 沟道（双）
电压 - 击穿（V（BR）GSS）25V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）12mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）1V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5pF @ 10V
功率 - 最大值500mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-78-6 金属罐
供应商器件封装TO-78-6
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs