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TK50E10K3(S1SS-Q) /MOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
TK50E10K3(S1SS-Q)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:92 mOhms

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

高度:15.1 mm

长度:10.16 mm

系列:TK50E10K3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.45 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

单位重量:6 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK50E10K3(S1SS-Q)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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