数据列表：TK4P60DB -
标准包装：2,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：540pF @ 25V
功率 - 最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
其它名称：TK4P60DBT6RSSQ