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TK20A60U(Q,M) /MOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A
TK20A60U(Q,M)的规格信息
TK20A60U(Q,M)的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Tray

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK20A60U

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK20A60U(Q,M)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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集好芯城TK20A60U(Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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TK20A60U(Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥42.04
10+:¥37.55
25+:¥33.79
100+:¥30.79
250+:¥27.78
500+:¥24.93
1000+:¥21.03
2500+:¥19.98
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Mouser 贸泽电子
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