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TK17N65W,S1F /MOSFET Power MOSFET N-Channel
TK17N65W,S1F的规格信息
TK17N65W,S1F的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:17.3 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:165 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.95 mm

长度:15.94 mm

系列:TK17N65W

宽度:5.02 mm

商标:Toshiba

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:38 g

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Digi-Key 得捷电子		TK17N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 650V 17.3A TO247$3.67000
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Mouser 贸泽电子		TK17N65W,S1FToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel1:¥27.12
10:¥21.8203
100:¥19.8993
250:¥17.9783
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