FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：700pF @ 300V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：88.3W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 4.9A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：4-DFN-EP（8x8）

封装/外壳：4-VSFN 裸露焊盘

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs