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TK10V60W,LVQ /
TK10V60W,LVQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 300V

FET 功能:超级结

功率耗散(最大值):88.3W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 4.9A,10V

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:4-DFN-EP(8x8)

封装/外壳:4-VSFN 裸露焊盘

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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深圳市创芯弘科技有限公司TK10V60W,LVQ华富路华匀大厦2栋0755-88377859
17673093037
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深圳市壹芯创科技有限公司TK10V60W,LVQ深圳市福田区华匀大厦1栋2310755-82796631,0755-33136207
YXCKJ888(微信),15818539112,15627456207
杨小姐,朱先生Email:yixinchuang@163.com询价
深圳市永拓丰科技有限公司TK10V60W,LVQ振兴路华康大厦2栋510室0755-83235350
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安富利电子(西安)有限公司TK10V60W,LVQ高新区金桥国际广场A座10701室029-88811644
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Digi-Key 得捷电子
TK10V60W,LVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥10.65
5000+:¥10.24
12500+:¥9.92
25000+:¥9.6
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Mouser 贸泽电子
TK10V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A1:¥24.2046
10:¥19.436
100:¥17.7523
250:¥15.9782
2,500:¥11.526
5,000:查看
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Mouser 贸泽电子
TK10V60W,LVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥10.65
5000+:¥10.24
12500+:¥9.92
25000+:¥9.62500+:¥10.87
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