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TK10Q60W,S1VQ /MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
TK10Q60W,S1VQ的规格信息
TK10Q60W,S1VQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:327 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:6.1 mm

长度:6.65 mm

系列:TK10Q60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:2.3 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:75

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:4 g

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TK10Q60W,S1VQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A1+:¥20.0699
25+:¥16.2001
100+:¥14.58
250+:¥12.96
500+:¥11.34
1000+:¥9.4
2500+:¥8.75
5000+:¥8.42
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TK10Q60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A1:¥21.2892
10:¥17.1308
100:¥13.7521
500:¥11.9893
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Mouser 贸泽电子
TK10Q60W,S1VQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A1+:¥20.0699
25+:¥16.2001
100+:¥14.58
250+:¥12.96
500+:¥11.34
1000+:¥9.4
2500+:¥8.75
5000+:¥8.421+:¥15.98
10+:¥12.92
100+:¥10.3501
500+:¥10.3501
1000+:¥9.61
2500+:¥8.82
5000+:¥8.73
10000+:¥8.36
25000+:¥8.14
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