TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
/MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)的规格信息
制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:19 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:27 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
系列:TJ8S06M3L
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:5.5 mm
商标:Toshiba
下降时间:34 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:6 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:140 ns
典型接通延迟时间:14 ns
单位重量:340 mg
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