晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2):22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs