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D1007UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
D1007UK的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:5 A

Vds-漏源极击穿电压:70 V

增益:13 dB

输出功率:40 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DK

配置:Dual

高度:4.82 mm

长度:24.76 mm

工作频率:500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Semelab / TT Electronics

通道模式:Enhancement

Pd-功率耗散:100 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

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D1007UKMETAL GATE RF SILICON FET SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO50.95 Kbytes共4页D1007UK的PDF下载地址D1011UK,D1031UK,D1212UK,D2012UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1012UK,D1053UK,D1213UK
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D1007UKSemelab / TT Electronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP50:¥700.0915
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D1007UKTT Electronics Power and Hybrid / Semelab LimitedRF POWER TRANSISTOR1 : $90.3
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D1007UKTT Electronics Power and Hybrid / Semelab LimitedTrans RF MOSFET N-CH 70V 5A 5-Pin Case DK$110.15